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SK海力士開發業界第一款HBM3 DRAM

2021年10月20日 10:07 ? 次閱讀

韓國首爾2021年10月20日 /美通社/ -- SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業界首次成功開發現有最佳規格的HBM3 DRAM。

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HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術*,由多個垂直連接的DRAM芯片組合而成,是一種高價值產品,創新性地提高了數據處理速度。

*HBM版本名稱:HBM(第一代) - HBM2(第二代) - HBM2E(第三代)

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SK海力士去年7月在業界首次開始批量生產HBM2E* DRAM后,時隔僅1年零3個月開發了HBM3,鞏固了該市場的主導權。

*HBM2E :從第二代HBM2中改進部分性能的擴展(Extended)版本

SK海力士強調,“通過此次HBM3,不僅實現了目前為止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量,還大幅提高了質量水平?!?/p>

SK海力士研發的HBM3能夠每秒處理819GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸 163部全高清(Full-HD)電影(每部5GB)。與上一代HBM2E相比,速度提高了約78%。

與此同時,該產品還內置了ECC校檢(On Die-Error CorrecTIon Code)。HBM3通過該內置型ECC校檢可以自身修復DRAM單元(cell)的數據的錯誤,因此產品的可靠性也大幅提高。

此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業界最大的容量。為了實現24GB,SK海力士技術團隊將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm, 10-6m),相當于A4紙厚度的1/3,然后使用TSV技術垂直連接12個芯片。

*TSV(Through Silicon Via,硅通孔技術):在DRAM芯片打上數千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術

HBM3將搭載高性能數據中心,有望適用于提高人工智能(AI)完成度的機器學習(Machine Learning)和分析氣候變化,新藥開發等的超級計算機。

負責SK海力士DRAM開發的車宣龍副社長表示,“該公司推出了全球首款HBM DRAM,引領了HBM2E市場,并在業界內首次成功開發了HBM3。公司將鞏固在高端存儲器市場的領導力,同時提供符合ESG經營的產品,盡最大努力提高客戶價值?!?/p>

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